噴射器開關(guān)速度快，關(guān)斷時(shí)間短，耐壓為1—1．8kV的IGBT的關(guān)斷時(shí)間約為1．2斗s，600v的IGBT的關(guān)斷時(shí)間約為0．21．ts，約為GTR的10％，接近于功率MOSFET。其開關(guān)頻率可達(dá)100kHz，開關(guān)損耗僅為GTR的30％。
　　IGBT是少子器件，它不但具有非常好的導(dǎo)通特性，而且也具有功率MOSFET的許多特性．如容易驅(qū)動(dòng)，安全工作區(qū)寬，峰值電流大，堅(jiān)固耐用等。一般來講，噴射器IGBT的開關(guān)速度低于功率MOSET，但是IGBT的開關(guān)特性非常接近功率MOSFET，而且其導(dǎo)通特性也不受工作電壓的影響。由于IGBT內(nèi)部不存在反向噴射器，故在應(yīng)用中可以靈活選用外接恢復(fù)噴射器，這個(gè)特性是優(yōu)點(diǎn)還是缺點(diǎn)，應(yīng)根據(jù)工作頻率、噴射器的價(jià)格和電流容量等參數(shù)來衡量。