噴射器N溝道型IGBT的工作過程為：給柵極一發射極間加閾值電壓u。以上的(正)電壓，在柵極電極正下方的P層上形成反型層(溝道)，從而開始從發射極電極F的N一層注人電子。浚電子為PNP晶體管的少數載流子，它從集電極襯底P+層開始流人空穴，進行電導率調制(雙極工作)，可以降低集電極一發射極問的飽和電壓。噴射器IGBT工作時的簡化等效電路和電氣圖形滯號如圖l一37所示。在其發射極電極側形成有NPN寄生晶體管。若NPN寄生晶體管工作，它又變成P+，N一，P一，N+晶閘管。電流繼續流動，直到輸出側停止供給電流，此時通過糯出信號已不能進行控制。一般稱這種狀態為閉鎖狀態。